Enhancement of the room temperature luminescence of InAs quantum dots by GaSb capping
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Detalles del recurso
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Enhancement of the room temperature luminescence of InAs quantum dots by GaSb capping
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| Id. |
42242141 |
| Idioma |
inglés
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| Titulo |
Enhancement of the room temperature luminescence of InAs quantum dots by GaSb capping |
| Autor(es) |
Ripalda, J.M.
Alonso-Alvarez, D.
Alén, Benito
Taboada, A.G.
García, J.M.
González, Yolanda
González, Luisa
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| Localización |
Applied Physics Letters 91, 012111 (2007)
0003-6951
http://hdl.handle.net/10261/12275
10.1063/1.2753716
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| Versión |
1.0 |
| Estado |
Final
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| Descripción |
The authors have studied the use of antimony for the optimization of the InAs/GaAs(001) self-assembled quantum dot (QD) luminescence characteristics in the 1.3 µm spectral region. The best results have been obtained by capping InAs QDs with 2 ML of GaSb grown on top of a 3 ML GaAs barrier separating the InAs and the GaSb layers. This results in an order of magnitude enhancement of the room temperature luminescence intensity at 1.3 µm emission wavelength.
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| Tipo |
261441 bytes
application/pdf
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| Palabras clave |
Indium compounds
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| Tipo de recurso |
Artículo
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| Tipo de Interactividad |
Expositivo
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| Nivel de Interactividad |
muy bajo
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| Audiencia |
Estudiante
Profesor
Autor
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| Estructura |
Atomic |
| Coste |
no
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| Copyright |
sí
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Acceso abierto / Open Access |
| Formatos |
261441 bytes
application/pdf
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| Requerimientos técnicos |
Browser: Any
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| Relación |
[References] http://link.aip.org
[References] http://d.doi.org/10.1063/1.2753716
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| Fecha de contribución |
15-abr-2009 |
| Contacto |
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