En esta Tesis Doctoral se establece una Tecnología propia para el desarrollo y fabricación de dispositivos de detección de infrarrojo que trabajen simultáneamente en dos de las bandas de transmisión atmosférica, a saber, de 3 a 5 pm y de 8 a 12 pm sobre el sistema de materiales GaAs/AlGaAs. Esta Tecnología incluye todas las fases, desde el diseño, pasando por el crecimiento epitaxial y la fabricación, hasta la caracterización. El diseño de los detectores se lleva a cabo mediante el uso de herramientas de simulación que permiten obtener la estructura más adecuada para el objetivo propuesto. En cuanto al crecimiento, se realiza un estudio sistemático y exhaustivo del mismo. Se lleva a cabo un análisis previo de las estructuras para determinar los diferentes parámetros que influyen en las prestaciones del detector. A continuación, se describen los pasos seguidos por el autor para la optimización de cada uno de estos parámetros contrastando los resultados con figuras de mérito publicadas en la bibliografía. Por último, se detallan las diferentes modificaciones llevadas a cabo en algunas de las técnicas de medida para la correcta caracterización de los dispositivos. Se obtienen condiciones específicas para la medida de las estructuras y se obtiene una relación entre aspectos propios del material y aspectos propios del dispositivo. En definitiva, se consigue desarrollar finalmente los detectores, con máximos de absorción en las bandas anteriormente citadas y con prestaciones similares a otros publicados en la bibliografía.