Detalles del recurso
Pertenece a:
E-PrintsUCM
Descripción: In weakly coupled, current biased, doped semiconductor superlattices. domain walls may move upstream against the flow of electrons. For appropriate doping values, a domain wall separating two electric-field domains moves downstream below a first critical current, it remains stationary between this value and a second critical current, and then moves upstream above. These conclusions are reached by using a comparison principle to analyze a discrete drift-diffusion model, and validated by numerical simulations. Possible experimental realizations are suggested.
Autor(es): Carpio Rodríguez, Ana María - Bonilla , L.L. - Wacker , A. - Schöll, E. -
Id.: 55259249
Idioma:
eng
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Versión: 1.0
Estado: Final
Tipo: application/pdf -
Palabras clave: Física matemática -
Tipo de recurso:
Artículo
- PeerReviewed
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Tipo de Interactividad: Expositivo
Nivel de Interactividad: muy bajo
Audiencia:
Estudiante
- Profesor
- Autor
-
Estructura: Atomic
Coste: no
Copyright: sí
: info:eu-repo/semantics/embargoedAccess
Formatos: application/pdf -
Requerimientos técnicos: Browser: Any -
Relación:
[References] http://arxiv.org/pdf/cond-mat/0003258.pdf
[References] http://eprints.ucm.es/15104/
Fecha de contribución: 09-may-2012
Contacto:
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