Monday, July 28, 2014

 

 



Soy un nuevo usuario

Olvidé mi contraseña

Entrada usuarios

Lógica Matemáticas Astronomía y Astrofísica Física Química Ciencias de la Vida
Ciencias de la Tierra y Espacio Ciencias Agrarias Ciencias Médicas Ciencias Tecnológicas Antropología Demografía
Ciencias Económicas Geografía Historia Ciencias Jurídicas y Derecho Lingüística Pedagogía
Ciencia Política Psicología Artes y Letras Sociología Ética Filosofía


Wave fronts may move upstream in semiconductor superlattices

1) La descarga del recurso depende de la página de origen
2) Para poder descargar el recurso, es necesario ser usuario
    registrado en Universia

  Descargar recurso

Detalles del recurso

Pertenece a: E-PrintsUCM  

Descripción: In weakly coupled, current biased, doped semiconductor superlattices. domain walls may move upstream against the flow of electrons. For appropriate doping values, a domain wall separating two electric-field domains moves downstream below a first critical current, it remains stationary between this value and a second critical current, and then moves upstream above. These conclusions are reached by using a comparison principle to analyze a discrete drift-diffusion model, and validated by numerical simulations. Possible experimental realizations are suggested.

Autor(es): Carpio Rodríguez, Ana María -  Bonilla , L.L. -  Wacker , A. -  Schöll, E. - 

Id.: 55259249

Idioma: eng  - 

Versión: 1.0

Estado: Final

Tipo:  application/pdf - 

Palabras claveFísica matemática - 

Tipo de recurso: Artículo  -  PeerReviewed  - 

Tipo de Interactividad: Expositivo

Nivel de Interactividad: muy bajo

Audiencia: Estudiante  -  Profesor  -  Autor  - 

Estructura: Atomic

Coste: no

Copyright: sí

: info:eu-repo/semantics/embargoedAccess

Formatos:  application/pdf - 

Requerimientos técnicos:  Browser: Any - 

Relación: [References] http://arxiv.org/pdf/cond-mat/0003258.pdf
[References] http://eprints.ucm.es/15104/

Fecha de contribución: 09-may-2012

Contacto:

Localización:


Otros recursos de la misma colección

  1. Cathodoluminescence from mechanically cracked porous silicon Cathodoluminescence of porous silicon after mechanical damage with a tip has been studied in the sca...
  2. Cathodoluminescence from nanocrystals in mechanically milled silicon Mechanical milling is a technique extensively used to prepare nanocrystalline metallic materials but...
  3. Deformation-induced defect levels in ZeSe crystals The influence of defects, in particular the deformation-induced defects, on the luminescence of bulk...
  4. Electrical characterization of ZnO ceramics by scanning tunneling spectroscopy and beam-induced current in the scanning tunneling microscope A correlative study of the electrically active grain boundary structure of ZnO polycrystals has been...
  5. Origin of yellow luminescence from reduced pressure grown bulk GaN crystals Cathodoluminescence (CL) in the scanning electron microscope has been applied to study the luminesce...

Valoración de los usuarios

No hay ninguna valoración para este recurso.Sea el primero en valorar este recurso.
 

Busque un recurso