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  1. Cell selection to minimize power in high-performance industrial microprocessor designs

    Reimann, Tiago Jose
    This work addresses the gate sizing and Vt assignment problem for power, area and timing optimization in modern integrated circuits (IC). The proposed flow is applied to the Benchmark Suites of the International Symposium on Physical Design (ISPD) 2012 and 2013 Contests. It is also adapted and evaluated in the post placement and post global routing stage of an industrial IC design flow using a sign-off static timing analysis engine. The proposed techniques are able to generate the best solutions for all benchmarks in the ISPD 2013 Contest (in which we were the winning team), with on average 8% lower...

  2. Investigação de defeitos e de métodos passivadores da região interfacial SiO2/SiC

    Pitthan Filho, Eduardo
    O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta frequência e/ou alta temperatura. Além disso, é possível crescer termicamente um filme de dióxido de silício (SiO2) sobre o SiC de maneira análoga ao silício. Porém, esses filmes apresentam maior densidade de defeitos eletricamente ativos na região interfacial SiO2/SiC que no caso do SiO2/Si, o que limita a qualidade dos dispositivos formados. Assim, compreender a origem da degradação elétrica e desenvolver métodos para passivar os defeitos na região interfacial SiO2/SiC são importantes passos para o...

  3. Caracterização e aplicação de derivados de benzazolas em dispositivos orgânicos e emissores de luz

    Etcheverry, Louise Patron
    No presente trabalho são investigadas experimental e teoricamente as propriedades ópticas e estruturais de compostos orgânicos derivados da família hidroxifenil benzazolas visando aplicações em diodos orgânicos emissores de luz. Este trabalho baseou-se no estudo do efeito da incorporação de um radical isotiocianato nas moléculas 2-(2’-hidroxifenil)benzimidazola, 2-(2’-hidroxifenil)benzoxazola, 2-(2’-hidroxifenil)benzotiazolas. Além disso, investigou-se o efeito da remoção da ligação de hidrogênio intramolecular responsável pela ESIPT da molécula 2-(4’-isotiocianato 2’- hidroxifenil)benzotiazol. Foram realizados experimentos de absorção e fotoluminescência para verificar as energias de excitação e fluorescência dos compostos, bem como o deslocamento Stokes. As propriedades ópticas e estruturais também foram investigadas teoricamente utilizando uma...

  4. Modelo para projeção de custo e capacidade para testes de semicondutores

    Fantinel, William Mendes
    Este trabalho tem como objetivo estudar os métodos de desenvolvimento de testes de semicondutores em testadores de baixo custo e propor ferramentas que proporcionem a redução dos custos da realização destes testes. Para isto, o trabalho apresenta, em sua primeira parte, uma introdução aos testadores automáticos de semicondutores, explicando o que eles são e para que eles servem. Em seguida são apresentados os mecanismos de testes de semicondutores, tanto internos quanto externos ao circuito integrado. Logo após são mostrados três estudos de caso de circuitos integrados distintos que exemplificam a implementação dos seus respectivos testes. Na segunda parte do trabalho,...

  5. Redução de congestionamento em roteamento global de circuitos VLSI

    Nunes, Leandro de Morais
    O Roteamento Global é responsável pelo planejamento da distribuição dos meios de interconexão dentro da área do circuito. Dentro da fase do projeto de circuitos conhecida como Síntese Física, essa fase situa-se após a etapa de posicionamento, que define uma posição exata para cada célula do circuito, e antes da etapa de roteamento detalhado que irá definir uma posição para cada meio de interconexão. Os roteadores globais utilizam uma versão abstrata e simplificada do circuito, que agrega uma região e toda a capacidade de fios que esta região comporta, trabalhando com o planejamento dessas capacidades em relação a demanda de...

  6. Álcool polivinílico (PVA) como dielétrico de porta em eletrônica orgânica

    Ximenes, Eder Sandim
    Enquanto que a maioria das pesquisas na área de transistores orgânicos de efeitos de campo (OFETs) concentra-se no desenvolvimento e na caracterização do semicondutor orgânico, a camada dielétrica ocupa um importante lugar no desempenho do dispositivo. Este trabalho tem o objetivo de estudar os efeitos da massa molecular, grau de hidrólise e reticulação sobre o desempenho do PVA para uso como material dielétrico em OFETs. Com esta finalidade, estruturas metal-isolante-semicondutor (MIS) e filmes poliméricos foram preparados e caracterizados física e quimicamente. A estrutura do polímero foi analisada por meio de análises de TGA, DSC e espectros de fotoluminescência, enquanto a...

  7. Efeito do eletrodo de platina e da passivação com enxofre na formação de filmes dielétricos sobre germânio

    Rolim, Guilherme Koszeniewski
    As estruturas metal-óxido-semicondutor (MOS) são o coração dos transistores de efeito de campo. O estudo e caracterização físico-química desses dispositivos foram a chave para o avanço da tecnologia do Si na indústria microeletrônica. Hoje, a ciência busca novos materiais para a produção de dispositivos de alta mobilidade. Um dos materiais visados é o Ge, pois apresenta mobilidade de cargas superior ao Si (duas vezes para elétrons e quatro vezes para lacunas). Porém, a interface Ge/GeO2 é de natureza reativa, limitando seu uso na construção de tais dispositivos. Muitos esforços têm sido feitos para superar as limitações. Entre eles, encontram-se a...

  8. Filmes de SiO2 depositados e crescidos termicamente sobre SiC : caracterização físico-química e elétrica

    Pitthan Filho, Eduardo
    O carbeto de silício (SiC) é um semicondutor com propriedades adequadas para substituir o silício em dispositivos eletrônicos em aplicações que exijam alta potência, alta freqüência e/ou temperatura. Além disso, um filme de dióxido de silício (SiO2) pode ser crescido termicamente sobre o SiC de maneira análoga a sobre silício, permitindo que a tecnologia já existente para a fabricação de dispositivos utilizando Si possa ser adaptada para o caso do SiC. No entanto, filmes crescidos termicamente sobre SiC apresentam maior densidade de defeitos eletricamente ativos na região interfacial SiO2/SiC que no SiO2/Si. Assim, compreender a origem e os parâmetros que...

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