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  1. Elastic circuits in FPGA

    Silva, Thiago de Oliveira
    O avanço da microeletrônica nas últimas décadas trouxe maior densidade aos circuitos integrados, possibilitando a implementação de funções de alta complexidade em uma menor área de silício. Como efeito desta integração em larga escala, as latências dos fios passaram a representar uma maior fração do atraso de propagação de dados em um design, tornando a tarefa de “timing closure” mais desafiadora e demandando mais iterações entre etapas do design. Por meio de uma revisão na teoria dos circuitos insensíveis a latência (Latency-Insensitive theory), este trabalho explora a metodologia de designs elásticos (Elastic Design methodology) em circuitos síncronos, com o objetivo...

  2. Autocorrelation analysis in frequency domain as a tool for MOSFET low frequency noise characterization

    Both, Thiago Hanna
    Low-frequency noise (LFN) is a performance limiter for analog, digital and RF circuits, introducing phase noise in oscillators and reducing the stability of SRAM cells, for example. Metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) are known for their particularly high 1= f and random telegraph noise levels, whose power may be orders of magnitude larger than thermal noise for frequencies up to dozens of kHz. With the technology scaling, the corner frequency — i.e. the frequency at which the contributions of thermal and shot noises to noise power overshadow that of the 1= f noise — is increased, making 1= f and random telegraph...

  3. Applying dual core lockstep in embedded processors to mitigate radiation induced soft errors

    Oliveira, Ádria Barros de
    The embedded processors operating in safety- or mission-critical systems are not allowed to fail. Any failure in such applications could lead to unacceptable consequences as life risk or significant damage to property or environment. Concerning faults originated by the radiation-induced soft errors, the embedded systems operating in aerospace applications are particularly susceptible. However, the radiation effects can also be observed at ground level. Soft errors affect processors by modifying values stored in memory elements, such as registers and data memory. These faults may lead the processor to execute an application incorrectly, generating output errors or leading hangs and crashes in...

  4. High efficiency MPPT switched capacitor DC-DC converter for photovoltaic energy harvesting aiming for IoT applications

    Zamparette, Roger Luis Brito
    Este trabalho apresenta um conversor CC - CC baseado em Capacitores Chaveados de 6 fases e tempos intercalados com o objetivo de coletar energia fotovoltaica projetado em tecnologia CMOS de 130 nm para ser usado em aplicações em Internet das Coisas e Nós Sensores. Ele rastreia o máximo ponto de entrega de energia de um painel fotovoltaico policristalino de 3 cm x 3 cm através de modulação da frequência de chaveamento com o objetivo de carregar baterias. A razão da tensão de circuito aberto foi a estratégia de rastreio escolhida. O conversor foi projetado em uma tecnologia CMOS de 130...

  5. Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients

    Silva, Michele Gusson Vieira da
    Aplicações em ambientes expostos a elevados níveis de radiação ionizante impõem uma série de desafios ao desenvolvimento de projetos de circuitos integrados na tecnologia Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS), uma vez que circuitos CMOS estão sujeitos às falhas transientes oriundas de radiação externa. Num circuito do tipo CMOS, as áreas sensíveis aos efeitos da incidência de partículas ionizantes são as regiões dreno-substrato reversamente polarizadas, existentes nos transistores em regime de corte (VARGAS; NICOLAIDIS, 1994). Com o avanço tecnológico e consequente diminuição das dimensões dos dispositivos semicondutores, estes efeitos degradantes tornam-se uma preocupação constante devido às menores características físicas dos transistores (WANG et...

  6. Análise automatizada dos efeitos do alargamento de pulso induzido em single event transients

    Silva, Michele Gusson Vieira da
    Aplicações em ambientes expostos a elevados níveis de radiação ionizante impõem uma série de desafios ao desenvolvimento de projetos de circuitos integrados na tecnologia Complementary Metal–Oxide–Semiconductor (CMOS), uma vez que circuitos CMOS estão sujeitos às falhas transientes oriundas de radiação externa. Num circuito do tipo CMOS, as áreas sensíveis aos efeitos da incidência de partículas ionizantes são as regiões dreno-substrato reversamente polarizadas, existentes nos transistores em regime de corte (VARGAS; NICOLAIDIS, 1994). Com o avanço tecnológico e consequente diminuição das dimensões dos dispositivos semicondutores, estes efeitos degradantes tornam-se uma preocupação constante devido às menores características físicas dos transistores (WANG et...

  7. Convolutional neural network reliability on an APSoC platform a traffic-sign recognition case study

    Lopes, Israel da Costa
    Deep learning has a plethora of applications in computer vision, speech recognition, natural language processing and other applications of commercial interest. Computer vision, in turn, has many applications in distinct areas, ranging from entertainment applications to relevant and critical applications. Face recognition and manipulation (Snapchat), and object description in pictures (OneDrive) are examples of entertainment applications. Industrial inspection, medical diagnostics, object recognition in images captured by satellites (used in rescue and defense missions), autonomous cars and Advanced Driver-Assistance System (ADAS) are examples of relevant and critical applications. Some of the most important integrated circuit companies around the world, such as...

  8. Diodos schottky de SiC para uso como detectores de energia de partículas carregadas

    Kaufmann, Ivan Rodrigo
    Neste trabalho foram investigadas estruturas de diodos Schottky de carbeto de silício (SiC) com potencial uso em detectores de energia de partículas carregadas. Para tanto, foram fabricados diodos Schottky de SiC do tipo Metal-Isolador-Semicondutor (MIS). Uma estrutura MIS é considerada uma vez que o SiC sempre forma em sua superfície uma fina camada de oxicarbeto de silício (SiCxOy) nativo, de difícil remoção por ataques químicos. Foi desenvolvido um modelo modificado da teoria de Emissão Termiônica (TE), de modo a levar em conta o óxido nativo e/ou finas camadas dielétricas inseridas entre metal e semicondutor nas estruturas de diodos Schottky. Foram...

  9. Analyzing the Impact of Radiation-induced Failures in All Programmable System-on-Chip Devices

    Tambara, Lucas Antunes
    O recente avanço da indústria de semicondutores tem possibilitado a integração de componentes complexos e arquiteturas de sistemas dentro de um único chip de silício. Atualmente, FPGAs do estado da arte incluem, não apenas a matriz de lógica programável, mas também outros blocos de hardware, como processadores de propósito geral, blocos de processamento dedicado, interfaces para vários periféricos, estruturas de barramento internas ao chip, e blocos analógicos. Estes novos dispositivos são comumente chamados de Sistemasem-Chip Totalmente Programáveis (APSoCs). Uma das maiores preocupações acerca dos efeitos da radiação em APSoCs é o fato de que erros induzidos pela radiação podem ter...

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