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DSpace at Xiamen University Library (3.666 recursos)

Mostrando recursos 1 - 20 de 316

1. NMR and Theoretical Study on the Coordination and Solution Structures - XianYongYu; ShuHuiCai; XinXu; ZhongChen
To simulate the types of coordination and solution structures of the active site of haloperoxidases, the interaction systems between diperoxovanadate complexes [OV(O2)2L]n- (n ) 1 or 3, L ) oxalate or H2O) and a series of histidine-like ligands in solution have been studied by using 1D multinuclear (1H, 13C, and 51V) NMR, 2D diffusion ordered spectroscopy, and variable-temperature NMR in 0.15 mol/L NaCl ionic medium, representing the physiological conditions of human blood. Some direct NMR data are given for the first time. The reactivity among the histidinelike ligands is imidazole > 2-methylimidazole > carnosine ? 4-methylimidazole > histidine. Competitive coordination interactions result in a series of...

2. Investigation on the complex of diperoxovanadate with 2-(20-pyridyl)-imidazole - XianYongYu; ShuHuiCai; Zhong Chen
A novel diperoxovanadate complex NH4[OV(O2)2{2-(2′-pyridyl)-imidazole}] · 4H2O was synthesized in aqueous solution under physiological conditions. The solution structure of the complex was characterized by multinuclear (1H, 13C, 14N, and 51V) as well as multi-dimensional (DOSY and C-H COSY) NMR techniques in the interaction system of NH4VO3/H2O2/2-(2′-pyridyl)-imidazole at room temperature. The crystal structure of the complex was determined at 173 K by single-crystal X-ray diffraction method. It belongs to the monoclinic space group P21/c with a = 13.048(4), b = 6.984(2), c = 17.814(5) Å, β = 104.695(5), V = 1570.3(8) Å3 and Z = 4. The crystal is composed of...

3. Suppression of undesired peaks due to residual intermolecular dipolar interactions in liquid NMR - ZhongChen; ShuhuiCai; XiaoqinZhu; JianhuiZhong
Residual intermolecular dipolar interactions may result in undesired spectral features on highly concentrated samples in liquid NMR. Although homonuclear decoupling can be employed to suppress the interactions, it may cause a strong irradiation peak, which obscures the nearby peaks. In order to overcome this shortcoming, a modified CRAZED sequence with three radio-frequency pulses was proposed. The analytical expression derived from the dipolar field treatment was employed to select proper flip angles and phase cycling. Theoretical predictions, experimental observations, and computer simulations demonstrated that the new method effectively suppresses the undesired peaks due to residual dipolar effects.

4. Theoretical formalism and experimental verification of line shapes of NMR intermolecular multiple-quantum coherence spectra - BingwenZheng; ShuhuiCai; ChaohuiYe; ZhongChen; JianhuiZhong
Although the theories and potential applications of intermolecular multiple-quantum coherences (iMQCs) have been under active investigations for over a decade, discussion of iMQC NMR signal formation was mainly confined in the time domain. In this paper, a full line-shape theory was developed to describe iMQC signals in the frequency domain. Relevant features of the line shape, such as peak height, linewidth, and phase, were investigated in detail. Predictions based on the theory agree well with experimental and simulated results. Since radiation-damping effects always couple with iMQCs in highly polarized liquid-state NMR systems, and strongly radiation-damped signals have many spectral characteristics...

5. Selection of intra- or inter-molecular multiple-quantum coherences in NMR of highly polarized solution - XiaoqinZhu; ShuhuiCai; ZhongChen; JianhuiZhong
doi:10.1016/j.physb.2005.02.026

6. 硅基半导体光电子材料的第一性原理设计 - 黄美纯
具有特定功能的半导体材料的计算设计,是计算材料科学的一个重要研究领域.由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布,因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题.为了进一步解决硅基光电子集成(OEIC)技术发展的瓶颈,设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体,是一项富有挑战性的工作.本文在分析大量半导体能带结构的基础上,给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制,并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础,提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案.根据这个方案所表达的设计思想,我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计.结果发现,用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA/Sim/VIB/Sim/VIA具有直接带隙特性.其中当m=5或奇数时,材料有四角结构对称性,而m=6或偶数时是正交结构对称性.VIA(B)是在<001>生长方向生长的单层VI族元素.这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配,与微电子技术相兼容,并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现.预...

7. BaSe的准粒子能带结构 - 陈德艳; 吕铁羽; 黄美纯
用标准的准粒子GW方法重新考察了BaSe的准粒子能带结构.为便于比较,同时计算了局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)下的能带.结果表明,LDA和GGA方法都不能准确描述这个材料的带隙.与实验测量值对比,其误差分别达到39.9%和32.6%.GW准粒子能带的结果则可以对其带隙作出大幅度的修正,得到与实验测量相当符合的理论结果.与已有的计算结果不同,B1结构BaSe准粒子能带具有Γ点直接带隙特性,表明在Ba价电子组态中考虑4d电子的作用至关重要.

8. 聚对苯撑及其烷氧基衍生物的能带研究 - 陈志彬; 黄美纯
利用扩展H櫣ckel分子轨道方法,运用BICONCEDiT程序包计算了聚对苯撑及其系列烷氧基取代物的一维能带结构.计算结果表明:聚合物的能带结构在很大程度上受到杂原子、侧链等因素的影响,这与已知的实验结果相符;随着烷氧基侧链中C原子数的改变,聚合物的带隙呈现规律性变化.理论计算得到的带隙值与已有的实验观察值符合得相当好.

9. 激发态过程的多体理论方法 - 黄美纯
描述多电子体系的绝大部分参量可实验测量,如吸收光谱、发光光谱和激子效应等,都涉及电子激发态的正确描述。密度泛函理论(DFT)框架内的局域密度近似(LDA)作为第一性原理基态理论,即基于Kohn Sham方程的解,是研究多粒子体系基态性质非常有力的工具。然而,体系激发态的第一性原理理论及其计算要比基态的理论计算复杂得多。关键问题在于描写基态和激发态时,粒子间的交换关联相互作用并不相同,而对于非均匀相互作用多粒子体系的交换关联能至今仍不清楚。不过,近年来关于激发态问题的研究,先后发展了许多描述电子激发态的理论,最重要的是基于准粒子概念和Green函数方程的多体微扰理论和含时间密度泛函理论(TDDFT)以及与此相关的描述电子空穴相互作用的Bethe Salpeter方程在凝聚态物理问题中的应用。其中最关键的物理量是粒子的自能算符Σ,它描述Hartree近似之外的交换和关联效应。虽然这些理论不可避免地也要引入某些近似,如对于Σ的一个好的近似就是Hedin的GW近似方法。对许多实际凝聚态体系的计算机模拟结果表明,GW近似是描述激发态问题相当成功的理论方法。将Hartree Fock(HF)理论与LDA相结合,但采用非局...

10. 双层阴极结构BaO/Al聚合物电致发光器件电子注入的研究 - 张伟; 黄美纯; 刘银春; 许运华; 曾永志
介绍了用双层阴极BaO/Al和发光层MEHPPV制成的聚合物电致发光器件(PLEDs),研究了绝缘层BaO对电子注入所起的作用.实验发现,BaO对电子的注入起到显著的促进作用,与直接用Al做阴极的器件对比,其发光亮度和效率分别提高了20倍和10倍,达到了1250cd/m2和0.4%.同时也研究了不同厚度的绝缘层BaO对电子注入的影响,随着厚度的增加,外部量子效率和亮度先增加后减少,存在一个约为1nm的最佳厚度.另外,国外用绝缘层LiF和CsF做成器件,与他们的实验结果对比,发现是绝缘层BaO增强了电子的注入,而不是BaO分解得到的金属Ba.

11. TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ_2黄铜矿半导体的电磁性质 - 曾永志; 黄美纯
利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属 (TM =V ,Cr,Mn ,Fe ,Co和Ni)掺杂的Ⅱ Ⅳ Ⅴ2 (CdGeP2 和ZnGeP2 )黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算 .结果发现 :V和Cr掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现铁磁状态(FM) ,Mn ,Fe以及Co掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将出现反铁磁状态 (AFM) ,而Ni掺杂时 ,稀磁半导体 (DMS)的磁性比较不稳定 .其中Cr掺杂的CdGeP2 和ZnGeP2 将可能是具有较高居里温度TC 的DMS .当TM 3d电子的t2g态部分被填充时 ,其掺杂的DMS将出现FM状态 ;而当TM 3d电子的t2g态全满或者全空时 ,其掺杂的DMS将出现AFM状态 .在(Cd ,Mn)GeP2 和 (Zn ,Mn)GeP2 中分别掺入电子和空穴载流子 ,可以发现载流子是否具有TM 3d电子的巡游特性是DMS是否出现FM状态的主要原因 .

12. InSb的Li嵌入电压轮廓曲线从头计算 - 刘慧英; 侯柱锋; 朱梓忠; 黄美纯; 杨勇
InSb是很有应用前途的Li离子电池非碳类负极材料 .使用基于密度泛函理论的第一原理赝势法 ,计算了InSb在Li嵌入时的 12 5种不同情况下的总能、形成能以及平衡体积等 ,进而参考电压轮廓实验曲线 ,筛选出了若干条理论上可能的反应路径 ,得到了Li嵌入时的电压轮廓曲线 .结果表明 ,从体InSb相到Li3Sb相之间没有中间经历五个相及五个相以上的反应路径 ;中间经历一个相的最可能反应过程为Li+In4 Sb4 →Li1 In4 Sb4 ,11Li +Li1 In4 Sb4 →Li1 2 Sb4+4In ;中间经历四个相的仅有一条反应路径 :Li +In4 Sb4 →Li1 In4 Sb4 ,2Li +Li1 In4 Sb4 →Li3In4 Sb4 ,4Li +Li3In4 Sb4 →Li7In3Sb4 +In ,3Li+Li7In3Sb4 →Li1 0 In2 Sb4 +In ,2Li+Li1 0 In2 Sb4 →Li1 2 Sb4 +2In

13. InSb的Li替位形成能的从头计算 - 刘慧英; 侯柱锋; 朱梓忠; 黄美纯; 杨勇
采用基于平面波展开的第一原理赝势法计算了锑化铟在锂替位到铟位置时的各种情况下的形成能与电子结构 ,讨论了锂替位的体积变化 ,电荷分布、能带结构及电子态密度等性质 .结果表明 ,对于闪锌矿结构的 In Sb,锂的各种替位形成能大致在每个锂原子 -2 .2 e V左右 .该结果表明 ,不可能在嵌入初期 Li插入到间隙位置之前发生替位反应 ,与实验结果一致

14. 共轭聚合物PPV及其衍生物的能带研究 - 柯志杰; 黄美纯; 陈捷
基于聚合物发光二极管(PLED)器件全色系的构想,对有机高分子共轭聚合物PPV C8H6) n及其一种烷氧基的衍生物 C14H18O2 n用扩展H櫣ckel方法(EHM)进行了能带结构、电子态密度的计算.所得到的带隙与实验观察值符合较好,为研究PPV及其烷氧基衍生物一族的带隙变化规律提供了一些有意义的参考.

15. 直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计 - 张建立; 黄美纯; 李惠萍; 朱梓忠
Si基光发射材料由于它具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si属于间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体.如何设计具有直接带隙硅基材料,备受实验研究工作者和材料设计理论工作者的关注.本文介绍一种新的硅基超晶格Ⅵ(A)/Sim/Ⅵ(B)/Sim/Ⅵ(A)的能带结构计算.在密度泛函理论框架内,采用混合基从头算赝势法模拟计算表明,其中Se/Si6/O/Si6/Se及Se/Si6/S/Si6/Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征,其带隙处于红外波段.预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能,其制作也可较方便地与硅微电子工艺兼容.预计该材料在信息光电子领域将有强大的应用潜力.

16. 氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性 - 陈松岩; 谢生; 何国荣; 刘宝林; 蔡加法; 陈丽荣; 黄美纯
用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0~ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。

17. 黄铜矿半导体DMS的第一原理计算 - 曾永志; 黄美纯
为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对 3d过渡金属(TM= V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II IV V2(CdGeP2 和ZnGeP2)以及I III VI2(CuGaS2 和CuGaSe2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现:V或Cr 掺杂的 II IV V2 将出现铁磁(FM)状态,而 Mn、Fe或者 Co掺杂的 II IV V2 将出现反铁磁(AFM)状态,Ni掺杂时,DMS的磁性非常不稳定;在TM掺杂的 I III VI2 的DMS中,Cr、Mn掺杂的 CuGaS2 和 CuGaSe2将表现为FM状态,而当V、Fe、Co或Ni掺杂时,Cu(Ga,TM)S2 和Cu(Ga,TM)Se2 则表现了AFM性质.Cr掺杂的I IV V 以及 I III VI 黄铜矿半导体将可能出现较高的居里温度(Tc).

18. 不完全齿轮机构的高速运用 - 刘文艳; 胡国清
在为某公司设计的全自动冲孔机中 ,通过在不完全齿轮机构上增加弹性阻尼系统 ,一方面可调节弹簧弹力大小来克服齿轮运转产生的惯性力矩 ,另一方面该阻尼系统又起到辅助定位作用 ,从而保证全自动冲孔机的正常工作

19. 双面接触式电容压力传感器的设计及制造工艺流程 - 许高攀; 陈广文; 胡国清; 李志博
双面接触式电容压力传感器除了具有单面接触式电容压力传感器的优点 ,还有它的特别之处 :双面接触式电容压力传感器被施加同样的压力时 ,可以得到比单面接触式电容压力传感器增大一倍的电容量和灵敏度 ,而且不会因此增加多少成本 ;工作时可靠性更高 ,即使一面失灵还有另一面可以正常工作。文中就双面接触式电容压力传感器的工艺进行了初步设计。

20. 静电式微开关硅悬臂梁的变形分析 - 陈广文; 许高攀; 胡国清
介绍了一种计算微开关的硅悬臂梁在电场力作用下的变形的方法 ,由于作用在梁上的载荷随着梁的变形而变化 ,用积分法计算存在相当困难 ,以下提出了一种计算变形的新方法 :将梁分为m个小段 ,则梁上的分布力可近似为m个集中力 ,将初始均布载荷分成n步 ,逐步加载 ,在每个载荷步后根据变形结果修正m个集中力 ,同时增加一个载荷增量 ,作为下一步的载荷。只要m和n取到充分大 ,就可得到梁变形的精确结果

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